خواص الکترونی نانو لایه های laptbi و lapdbi وآلیا‍‍‍‍‍ژpdxpt1-xbi (x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1)

در این پایان نامه خواص ساختاری و الکترونی انبوهه آلیاژهای نیم هاسلر lapdxpt1-xbi ( (x= 0, 0.25, 0.5, 0.75,1 و ویژگی های الکترونی و گرادیان میدان الکتریکی نانو لایه های laptbi و lapdbi در راستای (001) مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و با استفاده از کد wien2k نسخه 2011 با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی به علاوه اوربیتال های موضعی محاسبه و بررسی قرار گرفته است . برای بررسی خواص ساختاری از پتانسیل تبادلی همبستگی so+lda وso+ ggaاستفاده شده است، از آنجایی که رهیافت so+lda در توافق بهتری با نتیجه تجربی بود از این ثابت شبکه در ادامه محاسبات استفاده شده است. خواص الکترونی و مغناطیسی این آلیاژها از نمودارهای نوار انرژی و چگالی حالت های الکترونی که با استفاده از پتانسیل تبادلی همبستگی so+lda و so+ ggaرسم و بررسی شده است و نتایج این چنین نشان داد که دو ترکیب نیم هاسلر laptbi , lapdbi غیر مغناطیسی هستند و سهم عمده چگالی حالت های الکترونی پر شده نزدیک انرژی فرمی ناشی از اربیتال های d اتم pt , pd و چگالی حالت های الکترونی خالی در اطراف انرژی فرمی ناشی از اربیتال f اتم لانتان می باشد. همچنین به بررسی فاز عایق توپولوژی و وارونی ترازهای انرژی در نوار انرژی در lapdxpt1-xbi ((x= 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 و نانولایه های laptbi و lapdbi با رهیافت های so+lda و so ,+ mbjggaو so+ ggaپرداخته شد نتایج نشان داده است که با تغییر x رفتار نوار انر‍ژی این آلی‍اژها تغییر کرده و باعث تغییر نظم نواری می شود به گونه ای که نوارهای و در نقطه جابجا می شوند و وارونی نوار انرژی رخ می دهد و باعث ایجاد فاز نارسانای توپولوژی یا رسانای توپولوژی می شود. در رهیافت های so +lda و so+ gga در 1و 75/0 x=وارونی ترازها رخ می دهد و رسانای توپولوژی و در رهیافتso + mbjggaدر 5/0و 75/0 و 1 x= این فاز وجود دارد و عایق توپولوژی می باشند.